梁駿吾 (1933.9.18-- ) 男，半導(dǎo)體材料專家，湖北省武漢市人。1955年畢
業(yè)于武漢大學(xué)，1960年獲原蘇聯(lián)科學(xué)院冶金研究所副博士學(xué)位。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員。持“七五”、“八五”重點硅外延攻關(guān)，完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設(shè)備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次、中國科學(xué)院科技進步獎一等獎1次、中國科學(xué)院重大成果一等獎兩次，以及其它國家部級獎勵多次。 1997年當(dāng)選為中國工程院院士。
梁駿吾院士工作站是由云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、下屬子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所共同建站，依托鑫耀公司的《磷化銦單晶及晶片生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》項目。針對我國磷化銦單晶產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的關(guān)鍵技術(shù)難題，開展2-4英寸磷化銦多晶合成、磷化銦單晶生長和開盒即用磷化銦晶片加工工藝技術(shù)的應(yīng)用研究。
針對我國磷化銦單晶產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的關(guān)鍵技術(shù)難題，采用世界先進的VGF法（垂直梯度凝固法）生長磷化銦單晶，自主研發(fā)晶片加工工藝方法，重點解決2-4英寸VGF法單晶生長工藝中的熱場設(shè)計、最佳生長參數(shù)確定、位錯密度控制等關(guān)鍵問題和開盒即用晶片加工工藝中的化學(xué)拋光液、化學(xué)與機械拋光平衡，拋光速度與質(zhì)量平衡，晶片表面光潔度等核心參數(shù)的確定問題。
